Описание

Технические характеристики Xeon E5-2695 v2

Технические характеристики могут быть использованы для краткосрочных объявлений

объявления на аукционах и сайтах объявлений

Общая информация

Тип

Сегмент рынка

Сервер

Семья

Номер модели

Номера деталей процессора

CM8063501288706 - микропроцессор OEM / tray

BX80635E52695V2 - микропроцессор в штучной упаковке

Частота

2400 МГц

Максимальная частота турбонаддува

2800 МГц (5 или более ядер)

2900 МГц (4 ядра)

3000 МГц (3 ядра)

3100 МГц (2 ядра)

3200 МГц (1 ядро)

Скорость шины

8 GT / s QPI (4000 МГц)

5 GT / s DMI

Тактовый множитель

24

Комплект поставки

2011-land Flip-Chip Land Grid Array

Сокет

Сокет 2011 / LGA2011

Размер

2,07 "x 2,01" / 5,25 см x 5,1 см

Дата введения

Цена на момент введения

2336 долларов США (OEM)

2340 долларов США (коробка)

Номера спецификаций

Номер детали

Процессоры ES / QS

Производственные процессоры

BX80635E52695V2

+

CM8063501288706

+

+

+

Архитектура / Микроархитектура

Микроархитектура

Ivy Bridge

Платформа

Romley-EP

Romley-WS

Ядро процессора

Ivy Bridge-EP

Этапы работы ядра

C0 (QEEW)

C1 (QF92, SR1BA)

Идентификатор процессора

306E4 (QEEW, SR1BA)

Производственный процесс

0,022 микрона

Ширина данных

64 бита

Количество ядер процессора

12

Количество потоков

24

Единица измерения с плавающей запятой

Встроенный

Размер кэша 1-го уровня

Кэши ассоциативных команд с 8-сторонним набором 12 x 32 КБ

8-сторонний набор ассоциативных кэшей данных размером 12 x 32 КБ

Размер кэша 2-го уровня

8-сторонний набор кэшей размером 12 x 256 КБ

Размер кэша 3-го уровня

Ассоциативный общий кэш объемом 30 МБ с 20-сторонним набором

Физическая память

768 ГБ (на сокет)

Многопроцессорность

До 2 процессоров

Характеристики

Инструкции MMX

SSE / Потоковые расширения SIMD

SSE2 / Потоковые расширения SIMD 2

SSE3 / Потоковые расширения SIMD 3

SSSE3 / Дополнительные потоковые расширения SIMD 3

SSE4 / SSE4.1 + SSE4.2 / Потоковые расширения SIMD 4

AES / Стандартные инструкции расширенного шифрования

AVX / Расширенные векторные расширения

F16C / инструкции по 16-разрядному преобразованию с плавающей запятой

EM64T / Технология расширенной памяти 64 / 64

NX / XD / Execute disable bit

Технология HT / Hyper-Threading

VT-x / технология виртуализации

VT-d / виртуализация для направленного ввода-вывода

TBT 2.0 / технология Turbo Boost 2.0

TXT / технология надежного выполнения

Функции с низким энергопотреблением

Усовершенствованная технология SpeedStep

Интегрированные периферийные устройства / компоненты

Интегрированная графика

Нет

Контроллер памяти

Количество контроллеров: 1

Каналы памяти: 4

Поддерживаемая память: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866

Модули DIMM на канал: 3

Максимальная пропускная способность памяти (ГБ / с): 59,7

Поддерживается ECC: Да

Другие периферийные устройства

Интерфейс Direct Media 2.0

Соединение Quick Path (2 канала)

Интерфейс PCI Express 3.0

Электрические / тепловые параметры

V core

0,65 В - 1,3 В

Минимальная / максимальная рабочая температура

5 ° C - 81 ° C

Расчетная тепловая мощность

115 Вт